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半導体テストシステム

開発から量産工程において、7000V/2400Aまでの高電圧／大電流の動特性の試験ができます。
WL25V+WS58V　パワー半導体 ウェーハテストシステム（動特性・静特性を実現）
ターゲットデバイス IGBT, MOSFET, SBD, FRD, IPM, IPD, Chip
WL25V+WS51Vパワー半導体 ウェーハテストシステム
2000V/300A仕様例
±64V/±1.5A
±16V/±300A
＋2000V/±20mA
500ps 4ch DSP
過電流保護
 
特許第4558601号の保護回路によって安定 (デバイス、装置などの破壊を阻止)
測定項目例
高温 175℃
薄厚8”60μm
Vth (200A)
ON抵抗 (2mΩ)
L負荷SW
Qg
アバランシェ測定
VF
Trr・Irr・di/dt
高温方式特許申請中